美光公司开始批量生产16Gb 1z级DDR4内存

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美光科技宣布已开始批量生产采用1zNano工艺的16Gb DDR4 RAM产品，该工艺目前是业界最小的特征尺寸工艺节点。美光是第一家生产16Gb 1z级DDR4 RAM产品的DRAM公司，该公司相信这将使其能够在广泛的终端客户应用产品组合中提供“高价值解决方案”。

与之前的1Y工艺节点生成相比，1z nm工艺节点16Gb DDR4产品可提供更高的位密度以及轻微的性能提升和更低的成本。与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比，新节点还可将功耗降低40％。

新的工艺节点为新的DDR4产品提供了更高的灵活性，可用于各种应用，包括人工智能，自动驾驶汽车，5G，移动设备，图形，游戏，网络基础设施和服务器。但是，美光似乎优先考虑数据中心客户，他们一直在寻求更高的性能，功耗和更低的成本。

美光公司还宣布，它已开始批量出货业内容量最大的单片16Gb低功耗双倍数据速率4X（LPDDR4X）DRAM，采用基于UFS的多芯片封装（uMCP4）。 1z nm LPDDR4X和uMCP4产品主要面向寻求更长电池寿命和更小元件的智能手机公司。

三星是美光公司在DRAM市场的主要竞争对手，去年春天宣布将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5，LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。