来自高效电源转换 (EPC) 的 65 A EPower™ 芯片组重新定义了电源转换
高效电源转换 (EPC) 推出了集成 100 V GaN 驱动器和高达 65 A 的 FET 的 ePower 芯片组系列，为包括 DC-DC 转换和电机驱动在内的高功率密度应用提供更高的性能和更小的解决方案尺寸。
EPC 宣布推出 100 V、65 A 集成电路芯片组，专为 48 V DC-DC 转换而设计，用于高密度计算应用和 48 V BLDC 电机驱动器，用于电动汽车、机器人和无人机。
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EPC23101 eGaN IC 加上 EPC2302 eGaN FET 提供了一种新的 ePower 芯片组，其最大耐受电压为 100 V，提供高达 65 A 的负载电流，同时能够实现大于 1 MHz 的开关速度。
- EPC23101 集成电路采用 EPC 专有 GaN IC 技术的主要特性包括集成 3.3 mOhm RDS(on) 高边 FET 和栅极驱动器、输入逻辑接口、电平转换、自举充电、栅极驱动缓冲器电路和栅极驱动器输出以驱动外部低电平侧面 eGaN FET
- EPC2302 eGaN FET 具有仅 1.8 mOhm 的超小 RDS(on)，以及非常小的 QG、QGD 和 QOSS 参数，可实现低导通和开关损耗。
- 这两款器件均采用热增强型 QFN 封装，顶部裸露，并在两个器件之间优化了引脚排列。 组合芯片组占位面积为 7 毫米 x 5 毫米，为最高功率密度应用提供了极小的解决方案尺寸。
当在 48 V 至 12 V 降压转换器中运行时，EPC23101 + EPC2302 芯片组在 1 MHz 开关频率下可提供 96% 的效率，在 500 kHz 开关频率下可提供 97% 的效率，并且可以在低于 50 °C 的温升下提供 65 A 电流。
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ePower 系列产品使设计人员可以轻松利用 GaN 技术带来的显着性能改进。 集成器件更容易设计、更容易布局、更容易组装，节省PCB上的空间并提高效率。
“分立功率晶体管正在进入他们的最后一章。 EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示，集成式 GaN-on-Silicon 以更小的占地面积提供更高的性能，并且显着减少了所需的设计工程。 “从数字和模拟控制器的宁静或控制环境中，ePower 芯片组将 PWM 命令信号转换为能够驱动现实世界负载的高电压和高电流波形。 设计人员可以使用 ePower 芯片组为 eMotion、机械臂和无人机制造更轻、更精确的电池供电 BLDC 电机驱动器，为数据中心、数据通信、人工智能、太阳能 MPPT 和其他工业制造更高效的 48 V 输入 DC/DC 转换器和消费者应用程序。”
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来自 Efficient Power Conversion (EPC) 的 65 A EPower™ 芯片组重新定义了电源转换，首次出现在 AiThority 上。